硅基板

硅具有Fd3m空间群的金刚石结构，属于立方体系。沿着身体的对角线方向移位1/4体对角线距离的两组面心立方子格子是嵌套的。
图1.6.1是硅电池的[001] [011] [111]方向的透视图。室温下硅的物理，化学，光学和物理特性列于下表：在硅衬底上制造的光电器件的材料，为了首先解决GAsS，IPS异质结材料的晶格a] ia / i不匹配因此，多晶体的外延生长很大。
衬底硅和外延层GAsn具有不同的热膨胀系数。 Bay a，IP曲线，裂纹生长层反相的问题等。
通过使用Ga作为缓冲层形成Ga // iAsGeS材料，以及GAsa的低温生长，可以解决上述问题。缓冲层或超晶格材料。
目前，使用MB，EMOCVD。该技术可以直接生长适用于硅基板上的光电器件的材料，并生产各种类型的光电器件。
1.太阳能电池克服GAsS异质结材料的晶格失配（4）a / i和热膨胀系数不匹配问题，首先，Ge缓冲层用于制造Ga / e¥结构。研究了Ge作为硅上的AsG / i单晶的生长。
电子蒸发方法或MB方法是有用的，并且可控性差。这个过程很复杂，后者出生在同一个系统中，提高了可控性，提高了GAsEa层的性能。
然而，由于G-G生长层的扩散系数大，后来生长的GAsbeAsa层被Ge污染。因此，虽然太阳能电池可以由GAsGeS材料制成，但效率为12％，性能较差。
2.发光管RobertM。等。
采用VEP技术在硅衬底上生长Ge薄膜，然后利用MOVD技术在Si / Ge瞳上生长多层Ga层，使异质结材料的Zn扩散。之后，分别蒸发PtAuAuNi，并将P-平面和n-电极形成弧光管。
性能为：发射波长82m，△= 3u。日本OKI电子公共表面7n5rn事业部采用低压MOC技术在硅基板上获得良好的结晶度。
GAsGaAsVDa / A1外延层制成可见光发光管，其正向IV曲线非常突然，反向是硬击穿，表明GaAs特异性AI是突变结，其光谱波长= 70m，A~ 5m，100n4n0mA输出功率06.mw，外量子效率03％。中国科学院上海冶金研究所采用硅基板，多级AI / AsAsGa应变超晶格作为MBE技术的缓冲层，S掺杂的nGa外延层和掺杂的Be-Ga外延，i-As PAs和P-G8接触作为层，在P侧蒸汽AuZ和nn表面蒸汽AuNiGe发光管具有正常的IV和0.3mw的光输出功率。
SsmuKod等。使用MO-clrduuno-hoie VPE技术生长IganP层和MOVPE技术，在硅衬底上生长Ga层，形成发射光谱为60 m的IGa发光管。
5AsnP6aKA /米。输入电流c密度的当前1c特性不会降低，并且它可以取代HeNe光学器件以扩展其应用范围。
0b - Raeh等。使用硅衬底通过低压MOCVD生长大鼠异质结。
材料lGa / lAszgl 1AsGan超晶格未掺杂缓冲层，2nn限制层，3IGas有源层，4PIP限制层，采用质子注入“IPnAPn”作为绝缘层，使发射光谱分为118A~0v注入电流20.5m，0mA，0mA，连续运行24小时不降解。 3.激光JZ.hr等。
采用MBE方法在硅衬底上生长Ga / Al异质结材料制作单量子阱激光器AsGaAs（SQw），脉冲工作阈值电流为4 mA，调制速率为2. GHz，频率为120.I. HalI等。通过l_MBE方法在硅衬底上生长GaAs Ga异质结构材料，以形成具有100mA阈值电流的AI] As激光器。
在室温下连续工作1小时，0T.3°C，并表明使用硅基板来提高导热系数（少于38到圆圈l低衬里3）。杜斯＆QUOT;等。
通过MOCVD在硅衬底上直接生长Ga / Al8pi“AsGaAs材料，以产生低焓，高效双异质结注入激光器，I-.KA / mt = 35c，量子效率7％，巳室温连续工作0.m et人。 MBE和MOCVD方法在硅衬底上生长GaAsGa / i亚阱异质结材料，NaAI] Ass量成量子阱激光器，在室温下连续工作，闲置电流密度280A] r，。
×1.e长时间稳定性能一段的时间。 a，leHonKia-om等。
采用GAMB和MOC技术在硅基板上生长GAi /双EVDaAsGAs异质结材料，采用条形高功率激光器制造，其最高峰值功率达到14w（面）8r / o，室温脉冲阏阏电流105mA，量子效率3％.0M.aeh等。在硅衬底结激光器上制作了GanPIPX异质性，其发射波长为RggilAs / n~12p.7.m，I'0。
在室温下1KA / mc量子效率1％，输出功率2rw。美国Tooo0ohmsn公司使用MOC技术在硅衬底/ n异质结材料上生长IGaPIPVDnAs，氧化带激光器= 412D，钻孔电流密度1KA / m..7in0c，功率1rw。
4.其他器件采用GaAs / Si集成晶体，还可以开展各种新型光学器件A G8 / i8 / iAssOEC三维尺寸器件，作为数字计算机等三维人造网膜，SSki，aa等。使用GAsS材料开发了一种具有GAsa照明和iS照明的新型器件，该材料在PS上生长。
失真的超晶格用作缓冲层i，再生双异质结激光器和P型硅表面反转层nS，其使用光作为耦合互连。