Plextor M9P Plus 512GB M.2 SSD,Expreview存储基准评估

在本文中,编辑人员将在Plextor M9P Plus 512GB M.2 SSD上进行Expreview Storage Benchmark 2014测试,让我们看一下它的特定性能。 Expreview Storage Benchmark 2014是我们自己的I / O轨道回放测试,它是对硬盘真实情况的再现。
它类似于使用实际磁盘I / O轨道回放的PCMark硬盘测试。它将更接近实际的应用情况。
使用我们自记录的真实硬盘I / O轨迹脚本,整个测试包括三个部分:日常应用程序,办公应用程序和游戏应用程序,涉及多个软件操作。这些脚本可以使用Intel NAS Performance Toolkit进行全速播放。
在我们自制的Expreview存储基准测试中,Plextor的M9P Plus 512GB表现非常出色,总得分为3,632.37。在我们测试过的相同容量的M.2 SSD中,它是最好的之一。
这是对上一代M9Pe的重大改进。 ,我相信这是SLC缓存容量大幅增加的结果。
当然,读写速度的提高也有很多影响。以上是编辑器这次带来的所有内容。
非常感谢您的耐心阅读。如果您想了解更多相关内容或更多精彩内容,请关注我们的网站。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: ys@jepsun.com

产品经理: 汤经理

QQ: 2057469664

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • S.J.X自动压力开关隔膜泵:高效稳定的流体传输解决方案 S.J.X自动压力开关隔膜泵是一种高效、耐用的流体传输设备,广泛应用于化工、制药、食品加工等行业。该泵采用先进的自动压力开关技术,能够根据系统的压力变化自动调节运行状态,有效防止过压或欠压情况的发生,从而保护...
  • 高精密贴片电阻阻值表标准阻值表E-96 0603F(+1%) Standard Resistance Table 标准阻值表1 E-96 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 10 01X 100 01A 1.00K 01B 10.0K 01C 100K 01D 1M 01E 10.2 02X 102 02A 1.02K 02B 10.2K 02C 102K 02D 10.5 03X 105 03A 1.05K 03B 10.5K 03C 105K 03D 10.7 04X 107 04A 1.07K 04B 10.7K 04C 107K 04D 11 05...
  • 基于CY9BFx2xK/L/M MCU的I2C多任务器系统设计与优化策略 基于FM3 CY9BFx2xK/L/M MCU的I2C多任务器系统设计深度剖析随着物联网(IoT)设备复杂度提升,单片机系统面临越来越多的外设接入需求。采用I2C多任务器配合高性能MCU是当前主流解决方案之一。本文以富士通FM3系列中的CY9BFx2xK/L/M MCU为...
  • 费斯托SMT-8-NS-S-LED-24-B:精准可靠的位置控制解决方案 费斯托的SMT-8-NS-S-LED-24-B是一款高性能行程开关,它在自动化领域中扮演着重要角色。这款行程开关具有8毫米的检测距离,适用于需要精确位置控制的应用场景。其内置的LED指示灯可以直观地显示开关状态,便于用户监控和维护。...
  • 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
  • JMV-E积层压敏电阻技术参数与应用领域详解 积层压敏电阻(JMV-E)是一种广泛应用于电子设备中的关键保护元件,其主要功能是为电路提供过电压保护,防止瞬态电压对敏感电子元件造成损害。在现代电子产品中,瞬态电压可能来源于雷击、电源波动或电路开关等现象,这...
  • P沟道MOS管工作原理与应用解析:从基础到实际电路设计 P沟道MOS管概述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-channel MOSFET)是一种以空穴为多数载流子的场效应器件,广泛应用于电源管理、开关控制和模拟电路中。其核心优势在于低导通电阻和高开关速度,尤其在需要负电压驱动的...
  • N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
  • I2C多任务器与FM3 CY9BFx2xK/L/M MCU协同应用解析 I2C多任务器与FM3 CY9BFx2xK/L/M MCU技术融合概述在现代嵌入式系统设计中,I2C总线作为低速、低成本的串行通信协议,被广泛应用于传感器、存储器、显示模块等外设连接。然而,当系统中需要连接多个I2C设备时,单一主控的资源限...
  • P沟道MOS管工作原理及应用 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-MOSFET)是一种常用的电子器件,广泛应用于各种电子电路中。其工作原理基于电压控制电流的特性,与N沟道MOS管相比,P沟道MOS管在结构和工作方式上有一些显著的区别。### 工作原理P沟道...
  • P沟道MOS管30V参数及应用实例 在电子工程领域中,P沟道MOS管因其独特的电气特性而被广泛应用于各种电路设计中。其中,电压等级达到30V的P沟道MOS管更是因其出色的性能,在高压应用场合中扮演着重要角色。下面将详细介绍这种器件的主要参数及其典型应用...
  • P沟道MOS管100V参数及应用领域 在电力电子和模拟电路设计中,P沟道MOS管是一种非常重要的半导体器件,尤其适用于高压环境下的应用。P沟道MOS管100V型号意味着其能够承受的最大电压为100伏特,这使得它在许多需要高电压切换或调节的应用中表现出色。接下...
  • 深入解读积层压敏电阻JMV-E:从原理到实际应用的全面指南 积层压敏电阻JMV-E的工作原理积层压敏电阻基于非线性电阻特性,在正常电压下呈现高阻态,当电压超过阈值时迅速转入低阻态,从而将瞬时过电压泄放至地线,保护后级电路。关键性能参数解析 参数名称 典型值 说明 ...
  • 气压开关三P-10:功能、应用及重要性 在细致探讨气压开关三P-10的功能与应用之前,我们先来了解其基本构造。气压开关三P-10是一种精密设备,主要用于监控和控制气压系统中的压力变化。这种开关的设计目的是为了确保机械设备的安全运行,通过检测压力的变化来...
  • JMV-E积层压敏电阻技术解析:高性能电子防护的核心组件 JMV-E积层压敏电阻概述JMV-E积层压敏电阻(Multilayer Varistor, MLV)是一种基于陶瓷材料的先进压敏元件,广泛应用于现代电子设备中,用于过电压保护和浪涌抑制。其核心优势在于高可靠性、快速响应时间以及优异的耐冲击能力。核...
  • N+P互补对MOS管的设计优化与挑战分析 设计中的关键参数考量在实际电路设计中,N+P互补对MOS管的性能不仅取决于其基本结构,还受到多种因素影响。以下为关键设计要素:1. 尺寸匹配(宽长比优化)为了实现对称的传输特性,需合理设置NMOS与PMOS的宽长比(W/L)。通...
  • TSS管与聚鼎PXXXX T/S电感的性能对比及应用解析 TSS管与聚鼎PXXXX T/S电感的核心技术优势在现代电子设备中,TSS管(Transient Suppressor Semiconductor)与聚鼎品牌PXXXX系列电感(包括T型与S型)因其卓越的瞬态抑制能力和高可靠性,广泛应用于电源管理、通信设备和工业控制领域。以下...
  • 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
  • 德国P+F近接开关:高精度与可靠性的典范 德国P+F公司,即Pepperl+Fuchs,是全球领先的传感器技术和自动化领域的专家。其生产的近接开关(也称为接近传感器或接近开关)是工业自动化领域不可或缺的一部分。这些设备能够无接触地检测物体的存在,广泛应用于各种行业...
  • 如何选择合适的聚鼎PXXXX T/S电感与TSS管搭配方案 基于应用场景的TSS管与聚鼎电感选型策略在实际工程设计中,合理匹配TSS管与聚鼎PXXXX系列电感是保障系统可靠性的关键。以下是根据不同应用场景的推荐搭配方案。1. 高频开关电源系统推荐配置:选用聚鼎PXXXX-T型电感 + 高速响...