在SiC替代Si器件的道路上，最大的挑战已经克服

作为第三代半导体，SiC在许多方面都具有优越的性能，因此正在扩展到更多的应用领域，但这是不可避免的。在成本和易用性方面，传统的SiC器件在某些方面仍略逊于硅器件。
这也挑战了碳化硅器件替代硅器件的开发。几天前，领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合碳化硅）已推出了基于其第四代SiC FET先进技术平台的四款器件。
该产品的性能取得了突破性的发展，并且解决了工程师在易用性和成本方面面临的最大挑战。它旨在加速在汽车充电，工业充电，电信整流器和数据中心PFC中使用碳化硅（例如宽带隙器件）。
广泛用于直流转换，可再生能源和储能应用。作为市场上第一批750V SiC FET，UnitedSiC的四个第四代器件已基于领先的品质因数（FoM）实现了更高的性能水平，从而使汽车，工业充电，电信整流器，数据中心功率因数校正（PFC）和DC-DC转换以及可再生能源和储能领域的电力应用都可以从中受益。
四种新型SiC FET包括18mΩ和60mΩ解决方案，具有出色的FoM，较低的单位面积导通电阻和较低的固有电容。在硬开关应用中，第四代FET实现了极低的RDS（on）×EOSS（mΩ·μJ），因此可降低其导通损耗和关断损耗。
在软开关应用中，其低RDS（on）×Coss（tr）（mΩ·nF）规格可实现更低的传导损耗和更高的频率。这些器件不仅超越了现有SiC MOSFET竞争产品的性能（无论是在25°C的低温还是125°C的高温下工作），而且还提供了极低的体二极管VF和出色的反向恢复特性，从而降低了减少死区损失并提高效率。
UnitedSiC的FAE经理Richard Chen对21ic Electronics Network记者说，市场上类似的SiC MOSFET的电压通常为650V或低于650V。对于电动汽车和其他领域所需的400 / 500V总线电压应用，可以设计750V碳化硅MOSFET，人员提供更大的净空并减少其设计约束。
此外，市场上现有的SiC MOSFET与先前的硅器件具有不同的驱动电压要求，这使得工程师在从原始的硅器件切换到碳化硅FET时必须重新设计，以采用新的驱动电路。理查德·陈（Richard Chen）告诉21ic电子网络记者，UnitedSiC的第四代SiC FET的所有器件都可以用0至+ 12V的栅极电压驱动，这与以前的硅器件完全相同。
因此，工程师可以将它们与现有的SiC MOSFET进行比较。 Si IGBT和Si MOSFET栅极驱动器的共同使用大大简化了它们的设计工作。
UnitedSiC负责亚太地区销售的副总裁刘鲁威告诉21ic Electronics Network记者，尽管这是一家新成立的公司，但UnitedSiC的业务发展迅速，年增长率为20 -30％的两位数，这比硅器件要高得多。年均增长率。
从DC-DC转换和车载充电到功率因数校正和太阳能逆变器，这些领域都是UnitedSiC的应用领域。刘鲁威透露，在汽车，快速充电领域等要求更高效率和性能且对成本不敏感的应用中，SiC MOSFET正在逐步取代硅器件。
刘鲁伟说，早在2016年，UnitedSiC就开始与中国客户合作，合作项目涉及电动汽车OBC，DC / DC，驱动，快速充电桩，电信电源，服务器电源，太阳能等几乎所有领域。能源，储能和高压断路器。
为了更好地为国内用户提供全方位的支持，UnitedSiC将很快在深圳建立一个应用实验室，以进一步优化客户支持。