维珍轨道公司宣布已成功将10颗小型卫星送入轨道

北京时间星期一中午,理查德·布兰森的维珍轨道公司(VirginOrbit)宣布,该公司原始的非常规发射系统成功地将10颗小型卫星送入了轨道。这也使该公司加入了能够提供小型卫星发射服务的行列。
与传统的陆基火箭发射模式不同,维珍航空采用了“飞机+火箭”发射方式。中继启动表单。
一架名为“ Space Girl”的波音747用火箭升至6英里(约9656米)的高度,然后释放悬挂在机翼下方的火箭以起飞。 Virgin Orbit首席执行官DanHart表示,该公司已成功演示了发射系统的所有方面。
下一个任务将开始商业运营,并将为诸如英国空军和低成本通信服务提供商Swarm Technologies之类的客户发射小型卫星。通过这次发射,维珍航空能够随着需求的增加正式进入小型卫星卫星发射领域。
当前,专注于该领域的竞争产品包括RocketLab,FireflyAerospace和3D打印火箭制造商RelativitySpace。过去,小型卫星通常是在大型卫星上一起发射的,这意味着这些客户无法选择最佳的发射时间和轨道位置,这也会对任务规划和卫星使用寿命产生负面影响。
同时,成本也是Virgin Orbit的竞争优势。该公司最初将其轨道发射业务的价格定为每次1200万美元,几乎是SpaceX Falcon 9任务的五分之一。
但是,Virgin Orbit仍然需要时间来验证对发射业务的影响。该公司表示,预计增加发射频率的进展不会很快,并且可能在2021年只计划发射几次。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: momo@jepsun.com

产品经理: 李经理

QQ: 2215069954

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • 气体放电管在轨道交通系统中有哪些用途? 气体放电管在轨道交通系统中主要用于防雷保护和过电压保护。它可以将雷电流泄放入大地,以防止轨道交通系统遭受雷电侵害。此外,它还可以用于轨道交通产品类端口、信号控制类端口以及电力供应类端口的保护。在轨道交...
  • 30V N沟道与P沟道MOS管选型指南:从参数到实际电路设计 如何正确选择30V N沟道与P沟道MOS管?在电源管理、智能控制和便携设备设计中,合理选用30V耐压等级的MOS管是保障系统稳定性和能效的关键。以下从选型标准、电路布局和实际案例出发,提供全面指导。1. 核心选型指标工作电压...
  • P沟道与N沟道MOS管100V参数详解:选型与应用指南 P沟道与N沟道MOS管100V核心参数解析在现代电子系统中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高开关速度、低导通损耗和良好的热稳定性,被广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等场景。其中,100V耐压等级的P沟道...
  • 如何在8V–29V系统中优化选择N沟道与P沟道MOS管? 8V–29V系统中N沟道与P沟道MOS管选型策略指南在设计8V至29V的电源管理系统、电机控制器或智能开关电路时,正确选择N沟道或P沟道MOS管至关重要。以下从多个维度提供实用选型建议,帮助工程师实现最佳性能与成本平衡。1. 明确应...
  • 从卫星天线控制到功率芯片:深入解析DiSEqC、DIOFET与GaN MOSFET的技术演进 从卫星天线控制到功率芯片:技术演进的双轮驱动在现代卫星通信系统中,硬件与协议的协同发展决定了系统的整体性能。其中,DiSEqC接口 作为通信协议层的代表,承担着设备间智能交互的任务;而底层的 DIOFET 和 GaN MOSFET 则是...
  • 深入理解P沟道MOSFET:性能参数、封装类型与常见问题排查 P沟道MOSFET的关键性能参数解析在实际电路设计中,准确理解P沟道MOSFET的各项参数至关重要。以下是几个关键指标及其影响:1. 阈值电压(Vth)通常为负值(如-1.0V ~ -2.5V),表示开启所需的最小栅源电压。若系统供电电压不足以...
  • P沟道与N沟道MOS管在31V至99V高压应用中的性能对比分析 引言在现代电力电子系统中,尤其是高压开关电源、工业控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域,31V至99V范围内的MOS管选型至关重要。其中,P沟道与N沟道MOS管因其不同的工作原理和特性,在该电压区间内各有优势与适用...
  • P沟道与N沟道MOS管在8V至29V电压范围内的应用对比分析 P沟道与N沟道MOS管概述在现代电子电路设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高输入阻抗、低功耗和快速开关特性而被广泛应用。根据导电类型的不同,MOS管可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)在栅...
  • 深入解析P沟道MOSFET在电源管理中的关键应用与选型要点 P沟道MOSFET在现代电子系统中的核心地位随着便携式设备、物联网终端和智能电源管理系统的快速发展,功率半导体器件的性能要求日益提高。在众多功率器件中,P沟道MOSFET因其独特的导通特性与开关优势,在电源管理电路中扮演...
  • 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
  • 单信道栅极驱动器在P沟道MOS管驱动设计中的应用与优化 单信道栅极驱动器在P沟道MOS管驱动设计中的核心作用在现代电力电子系统中,尤其是电源管理、电机控制和开关电源(SMPS)等应用中,P沟道MOS管因其高侧开关特性被广泛使用。然而,其栅极驱动要求较为特殊,需精确控制栅源...
  • 正确购买渠道与使用维护是关键 在探讨特价高仿施耐德隔离开关INT全系列这一话题时,首先需要明确的是,任何未经授权的复制和销售知名品牌的商品均属于违法行为。施耐德电气是一家全球知名的能源管理和自动化解决方案提供商,其产品包括隔离开关在内...
  • N沟道8V至29V MOS管与P沟道MOS管性能对比分析 N沟道8V至29V MOS管与P沟道MOS管核心差异解析在现代电子系统设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)作为关键的开关和放大元件,广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等场景。其中,N沟道与P沟道MOS管因其工作原...
  • 如何在31V至99V系统中正确选择P沟道与N沟道MOS管?技术指南与实战建议 前言:高压系统中的关键元件选择在31V至99V的直流供电系统中,如储能系统、电动工具、医疗设备及智能电网接口装置,正确选择合适的MOS管是确保系统稳定、高效运行的核心。本文将结合实际工程案例,提供一套完整的选型流...
  • P沟道MOS管30V与N沟道MOS管30V参数对比及应用解析 P沟道MOS管30V与N沟道MOS管30V核心参数对比在现代电子电路设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高效率、低功耗和快速开关特性被广泛应用。其中,30V耐压等级的P沟道与N沟道MOS管是电源管理、电机驱动和负载开...
  • 40-300V N沟道MOSFET选型指南 在电子设计中,选择合适的功率MOSFET对于确保电路的高效和稳定运行至关重要。40-300V电压范围内的N沟道MOSFET是许多电源转换、电机控制和其他电力应用中的关键组件。本文将探讨如何根据不同的应用场景选择适合的MOSFET,包括...
  • 双通道USB切换器与单通道USB切换器的全面对比:如何选择适合你的设备? 双通道USB切换器与单通道USB切换器的核心区别在现代办公和家庭使用场景中,USB切换器已成为提升多设备管理效率的重要工具。根据支持的设备数量,主要分为双通道和单通道两类。它们在功能、适用场景和性价比方面各有优劣...
  • 深入理解N沟道MOSFET:性能优化与常见故障排查指南 N沟道MOSFET的性能优势与优化策略相较于传统双极型晶体管,N沟道MOSFET具有高输入阻抗、低静态功耗、快速开关速度等显著优势,广泛应用于现代电子系统中。以下为性能优化的关键点:1. 栅极驱动优化使用合适的栅极驱动电压(...
  • 提升办公效率:双通道USB切换器如何助力多任务处理? 双通道USB切换器:打造高效无缝的多设备工作流随着远程办公和多设备协作趋势的兴起,双通道USB切换器正成为职场人士不可或缺的生产力工具。它不仅简化了硬件连接,还显著提升了操作流畅度与资源利用率。1. 实现真正的“...
  • 400V N沟道MOS管应用及选型指南 在电力电子设备中,N沟道MOS管因其低导通电阻、高速开关性能和高效率而被广泛应用。尤其对于需要承受400V电压的应用场景,选择合适的N沟道MOS管至关重要。本文将探讨如何为您的项目选择适合的400V N沟道MOS管,并提供一些关...