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昭仪创新在全国范围内正式推出具有24nm工艺节点的4Gb SPI NAND闪存产品

GD5F4GM5系列已批量生产,容量高达4Gb,开启了家用SLCNANDFlash24nm时代。昭仪创新今天在全国24nm工艺节点上正式推出了GD5F4GM5系列4GbSPINANDFlash产品。该系列产品在从设计,研发,制造到封装和测试的所有环节均实现了纯正的本地化和自决,并已成功批量生产,标志着国产SLCNANDFlash产品已正式进入24nm先进制程时代。技术。该创新技术产品有助于进一步丰富昭仪创新存储产品系列,并为客户提供更多优化的大容量代码存储解决方案。如今,各种电子设备的功能变得越来越复杂,并且在一些新兴的甚至紧凑的应用程序中需要预安装嵌入式操作系统,并且对存储容量的需求也在不断增加。对高度可靠和大容量代码存储的需求已成为行业中的普遍需求。虽然SLCNAND在市场上都具有成本效益,但它可以为客户提供更大的容量选择。在此基础上,昭仪创新在兼顾容量和性能的提升,更好地服务于代码存储领域的同时,确保了高可靠性的同时,成功推出了24nmSPINANDFlash——GD5F4GM5。它致力于提供5G,物联网,网通,安全性和消费者应用方案,包括可穿戴设备,以提供大容量,高性价比的解决方案。目前,GD5F4GM5系列已全面量产,代表了国内SPINANDFlash工艺技术的最高量产水平。该产品使用的串行SPI接口具有更少的引脚和更小的封装。在集成存储阵列和控制器时,它还具有内部ECC错误校正算法。擦除和写入次数可达到50,000次,从而提高了可靠性,同时延长了产品寿命。与上一代NAND产品相比,GD5F4GM5系列极大地提高了读写速度。最大时钟频率可以达到120MHz,数据吞吐量可以达到480Mbit / s,并且可以支持1.8V / 3.3V电源电压。它还提供WSON8,TFBGA24和其他封装选项。 GD5F4GM5系列产品功能兼容1.8V / 3.3V电源电压,支持4KBCache随机读取四通道SPI接口,QuadIO数据吞吐量可达到480Mbit / s,内置8bitECC纠错技术,支持标准WSON8,TFBGA24封装,支持工业等级-40〜85℃温度范围供应信息GD5F4GM5系列产品现已批量生产,客户可以联系销售代表或授权代理商以获取相关的订购信息。