近年来，Ga 2 O 3材料由于其优异的电学和光学性能而受到研究者的越来越多的关注，并且也被广泛用于各种大功率半导体器件和光电器件中。因此，借助计算软件研究其内部物理机制尤为重要，这可以帮助研究人员节省时间，精力和金钱来准备高性能的半导体器件。最近，基于Crosslight先进的半导体仿真设计平台，我们的技术团队不断突破技术瓶颈，改善材料性能和物理模型，并创新地开发了Ga2O3-SBD计算模型。如上图所示，根据该模型计算出的输出结果与实验结果高度吻合，这对于研究SBD器件的内部物理机理具有重要意义。该模型的成功开发，有助于研究人员弄清影响Ga2O3-SBD性能的诸多因素，为分析器件物理特性提供重要参考价值，对各种基于Ga2O3的新型半导体器件的研究具有重要的前瞻性意义。 q