最近，《财经》杂志发表了一篇文章，澄清了有关中国科学院ASML突破的误解传闻。光刻技术。这件事可以追溯到今年七月。中国科学院官方网站发布了有关研究进展的新闻。中国科学院苏州研究所和国家纳米中心发表了一篇题为《超分辨率激光光刻》的文章。在纳米字母。 5nm间隙电极和阵列的技术准备” （超纳米级激光光刻技术的5nmNanogapElectrodesandArrays）研究论文介绍了“新型5nm超高精度激光光刻处理方法”。由团队开发。 ACS官方网站的屏幕截图。该消息被某些媒体误解为“突破了ASML的垄断”，“华芯已取得重大进展”。并且“中国不需要EUV光刻机来制造5nm工艺芯片。”几天前，该论文的通讯作者，中国科学院研究员，博士生导师刘谦告诉《财经》杂志，这是一种误解，是中国科学院的技术和极紫外光光刻是两个不同的东西。极紫外光刻技术是使用波长为10-14nm的极紫外光作为光源的光刻技术。本发明的“ 5nm超高精度激光光刻处理方法”的主要目的是为了解决上述问题。由中国科学院开发的光掩模。目前，中国制造的口罩主要是低端和中端口罩，大部分设备材料和技术都来自国外。