7月7日，半导体材料创新，设计和生产的全球领导者法国Soitec半导体今天宣布，它已与Qualcomm Technologies，Inc.签署了一项合作协议，为4G和5G射频提供压电（POI）基板。筛选。该协议指出，Soitec将确保为Qualcomm Technologies的下一代RF滤波器提供POI基板。 Soitec与Qualcomm Technologies已有多年合作。与该协议签订后，将为高通技术公司的RF滤波器批量生产POI基板。用于智能手机的射频前端模块。 “凭借我们突破性的创新性薄膜SAW技术和Qualcomm®ultraSAW RF滤波器产品，我们将继续突破移动技术的界限。”高通公司高级副总裁兼RF前端业务总经理Christian Block表示。与Soitec的协议确保高性能POI基板的供应并满足OEM客户对高性能Qualcomm ultraSAW RF滤波器产品的需求至关重要。通过Soitec基于Smart Cut技术的POI基板，它类似于高通公司的滤波器设计和系统。这种结合可以确保具有多个滤波器功能的多路复用器芯片的高产量。 Soitec的POI基板在RF滤波器中具有独特的价值。 POI是通过Soitec的专利技术150 mm SmartCut创建的创新和优化的基材。 POI使用高电阻硅作为基础，并覆盖有一层掩埋的氧化物层，顶部则覆盖着一层非常薄且均匀的单晶压电层。 Soitec的POI基板用于构建具有内置温度补偿功能的最新一代4G / 5G表面声波（SAW）滤波器。 “该协议是Soitec和Qualcomm Technologies之间合作的结果。 Soitec的POI衬底现在是高通技术公司的重要组成部分。用于移动设备的5G产品，对此我们感到非常满意。” Soitec全球业务部高级执行副总裁Bernard Aspar博士说：“ Soitec在RF市场服务了很长时间，并拥有丰富的经验，特别是RF-SOI的出货量非常高。基于我们强大的Smart CutTM技术，我们有信心可以批量生产POI基板。使其成为5G RF滤波器的标准材料。”