IC运筹学技术科普文章Q1：HTOL计算FIT时，老化电压有许多组。在计算电压加速系数时，是否需要计算每组电压？要不然是啥？答：根据核心电压，1.1V和1.21V也在安全范围内，并且没有压力。 Q2：模具表面上的钝化层有哪些具体功能？在不同类型的芯片的钝化层工艺上有什么区别吗？答：钝化层通常是氮化硅，有些使用氮氧化硅，有些则在氮化硅的顶部有一层PIPolyimide。问题3：氮化硅和二氧化硅钝化层的厚度是多少？答案：3000 + 6000A。这取决于工艺，但几乎就是这些数据。您可以直接询问创建者或查看interconnectmodel文档，或查看XRC文件，其中将显示钝化厚度信息。问题4：是否有必要对诸如传感器和内存之类的芯片进行WLBI（温度和电压升高）测试以进行ATE测试，以对处于早期故障边缘的芯片进行筛选和分类？答：WLBI指晶圆级BI，根据产品级的NAND，高DPPM级做BI，50cyclefullarray读写，周点应力等。可以在晶圆级或封装后完成。电压角将执行相同的操作。至少是最差的测试。还是看产品对DPPM的需求。高DPPM级别大约是每百万芯片的缺陷数，还是每芯片百万像素的缺陷数？取决于产品卡的规格，可以将两者都计算在内，如果一个像素出现故障，则认为该材料发生了故障，或者允许出现某些故障位。对于NAND，有redundantColumn和CRC错误校正。通常，客户遵循芯片DPPM的要求。问题5：在FT测试中，是否有任何方法可以校准CSP封装的芯片温度？目的是通过测试当前芯片温度来校准芯片的内部T传感器。答：是的，卡盘温度是设定温度。通常，最低功耗模式用于TS测试，最好只有TS在工作。开放环境芯片TS难以要求0.5°C的精度，并且可以使用空腔结构。仍可达到1％的精度。如果要精确，可能还必须校准斜率，但是单点是不够的。在一般应用中，计算出的温度= 25度+斜率*（readout_code-TS_code @ 25c）。斜率和ts_code @ 25c均已校准。如果要求不高，则不校准斜率，而是使用常数。