美国银行/美林证券指出，在过去五年中，射频芯片行业一直保持每年20％的增长率。今年以来，由于对智能手机（例如苹果公司的iPhone 6S）的需求疲软，销售量有所下降。但是，根据半导体市场研究机构IC Insights发布的最新2016年IC市场报告，中国手机制造商的出货量在2016年出现了突破，在全球前12名中排名第8，其表现非常令人眼前一亮。赶上。中国智能手机已成为全球智能手机市场的支柱。中国的射频芯片产业发展迅速。 Qorvo将在未来的5G射频市场中拥有许多领先的技术，例如非常适合毫米波设备的氮化镓（GaN）工艺。不仅如此，现在多频和多模式LTE移动电话，尤其是运营商要求的最新载波聚合和其他技术，需要大量的BAW（体声波）滤波器，并且在移动电话中使用了多个BAW。 。这也是Qorvo Very的领导领域。 Qorvo全球总裁兼首席执行官Bob Bruggeworth表示：“这些领先的技术将为Qorvo带来越来越多的销售和利润。 ＆amp; rdquo;据悉，5G的某些频段将使用毫米波，并且速度将达到几Gbps或更高。对于移动电话的射频设备而言，这确实是非常具有挑战性的。氮化镓（GaN）技术将在此5G应用中具有出色的特性。优点。 Qorvo是雷达上氮化镓器件的主要供应商。 Qorvo生产从前端工艺到后端封装和测试的各种半导体材料器件，例如GaAs，GaN，Si等。Qorvo拥有所有技术。幸运的是，Qorvo的最高技术权威资深研究员Bill Roesch于今年定期向华为工程师讲课，并于8月29日下午在深圳工业大学向社会开放了技术培训课程，香港科技大学研究大楼。主题是：GaN，InP，GaAs和其他III-V化合物半导体在大功率RF组件领域中具有技术趋势和可靠性挑战。免费讲座的机会很少，但席位有限。只有50个地方开放。那些先签约的人是第一位的。主办单位：电子爱好者协办单位：深圳通信学院Maker RF Space，华强致志时间：2016年8月29日13：30-16：00地点：香港科技大学深圳工商大学研究大楼2号深圳市南山区南山区高新技术产业园区悦星一路9号深圳市210楼发言者：Bill Roesch职务：Qorvo公司资深研究员主题：III-V组件的技术趋势和可靠性挑战背景：1 ）IEEE和可靠性社区成员； 2）是31岁的化合物半导体可靠性工作室执行委员会成员； 3）IEDEC JC-14.7有效成员； 4）专利：发现导致GaAs氢降解的实际失效机理。发明：1）用于检测通孔的加热器设计； 2）用于基板通孔的裂缝检测器。培训讲座时间表：13：30-14：30访客登录通讯14：30-15：30 Bill Roesch演讲15：30-16：00来宾问答环节现场专业翻译，让您畅所欲言！要注册，请扫描或单击QR码：了解讲座的详细信息：http://www.elecfans.com/event/1005.html